我国超净高纯试剂的研究始于70年代。80年代研制成功22种MOS级（金属-氧化物-半导体电子专用化学品）超净高纯试剂( ≥5μm颗粒粒径控制为≤2700个／100mL，单项金属杂质控制在ppm级 )，并实现了工业化生产。之后相继研制成功20种2～3μm和0.8～1.2μm技术用BV-I级、BV-II级、BV-III级超净高纯试剂, BV-II级试剂已达到国外SEMI-C7质量标准，并实现了百吨级的中试生产规模。无锡市化工研究院已能提供少量电子束光刻胶和其它一些特种光刻胶。“十五”期间国内科研单位已在193nm光刻胶方面取得进展，分辨率达到0.1μm。北京试剂所研制成功BV-I级、BV-II级、BV-III级超净高纯试剂，其中BV-III级达到国际SEMI-C7标准，适用于0.8μm～1.2μm工艺技术。形成500t/a的规模。目前正在进行更高一级的产品开发，年产量超过4000吨。

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