由于传统蚀刻液与Ｔｉ的反应速度很快，但在一定的生产环境中不需要很快的蚀刻速度，而且为了防止蚀刻速度过快引起侧蚀的产生，这样就需要降低蚀刻速度［２１］。

   美国ＡＴ＆Ｔ公司的Ｈａｎｓｏｎ［５］利用有机物对蚀刻速度的影响，通过３０％丙烯乙二醇、２～７Ｍ氟化铵、１～９Ｍ氢氟酸等物质，可以把蚀刻的速度从０.７５μｍ／ｍｉｎ降低到０.２５μｍ／ｍｉｎ，还可通过调节有机物的种类和浓度来调节蚀刻速度［５］。工作温度在１６～２２℃，对Ｓｉ或陶瓷衬底没有影响。日本电装株式会社的井野功治利用ＥＤＴＡ类化合物的缓蚀作用来对蚀刻液进行调节。由于ＥＤＴＡ的存在，可以在表面形成有效的薄膜，能达到平缓的蚀刻速度，该蚀刻液工作在常温下。美国Ｒｏｌｌｓ－Ｒｏｙｃｅ的Ｂｒｏｕｇｈｔｏｎ利用硫酸和硅氢氟酸的联合作用有效控制过快的蚀刻［１９］，工作温度为室温。两种蚀刻液的蚀刻均匀性都很好，用于电子 封装工艺中，以降低蚀刻速度来提高产品的表面特性。

 本文由氢氟酸提供